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第三章 我可以接手（第2页）

他们一起在实验室熬了无数个夜晚，一起跟著导师做实验、改论文，他比任何人都清楚韩靖的天赋和踏实。只是，天赋和踏实，终究抵不过资歷和经验，抵不过项目的庞大体量。

韩靖：“那就够了，我不会拿自己的前途和导师的心血开玩笑的！”

闻言，童淮犹豫了一下，不过看著韩靖坚定的侧脸，他还是决定帮忙尝试一下。

毕竟他也不希望kl-02项目封存，这不仅仅是导师的心血，也关係到他能否顺利毕业。

深吸了口气，他看向王恩哥校长和周文渊主任开口道：“校长，周主任，我师弟说的是真的。”

“他在kl-02项目中参与度很高，从研究生开始导师就带著他学习核心实验和算法设计了，这些他都有参与，或许他真的能接手。”

童淮的话，並没有改变在场眾人的態度，反而引来更多的质疑。

会议桌对面，在听完童淮的话后，赵知许语气带著几分嘲讽说道：“童淮，韩靖胡闹，你也跟著胡闹？”

“陈教授带著他学习是让他学习的，不代表他就能掌握核心技术，更不代表他能牵头这么大的项目。”

“你们两个还是学生，还是太年轻，把科研想得太简单了。”

说到这，他將目光转向韩靖，紧接著开口提问道：“你说你能接住kl-02晶片项目，那我问你一个问题——kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移问题，解决方案是什么？”

这是kl-02项目中的一种重点难题，困扰了项目研发小半年的时间，连陈维德都没能找到解决的办法。

他就不信眼前这个在他看来毛都没长齐的学生能解决。

会议室中，当赵知许提出问题后，几乎所有人都同步將目光投递了过来。

被眾人注视著，韩靖脸上並没有什么表情变化。

脑海中，他默默的呼唤出系统：“使用新手礼包，解析kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题！”

“解析中，技术原理与解决路径方案已完成。”

当系统的回应出现时，脑海中，一股信息流陡然出现。

他对kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题的技术原理和解决路径方案已然了如指掌，就像是他自己亲手解决过这个问题一般。

对上赵知许的目光，韩靖缓缓地开口道：“解决这个问题很简单，引入氮化界面层来抑制硼穿透效应就可以。”

“引入氮化界面层来抑制硼穿透效应？”

会议室中，负责晶片掺杂工艺的李暉思索著问了一句：“能具体讲讲吗？”

李暉的追问，瞬间打破了会议室的死寂。

作为kl-02项目掺杂工艺的核心负责人，他同样为这个难题熬了无数个夜晚，都没能找到突破口。

但韩靖的一句话，像是给陷入死胡同的他，打开了一扇新的大门。

而会议室中，其他人也有些好奇的看向韩靖。

毕竟从李暉的的语气大家都能听出来，这不是在刁难，而是真的被韩靖的话勾起了兴趣。

韩靖点点头，道：“可以。”

停顿了一下，他组织好语言开口道：“kl-02在28nm工艺下的沟道掺杂浓度偏移难题是离子注入过程中的各种物理效应叠加，导致杂质原子没有精准地到达目標位置。”

“除了物理效应，工艺控制偏差同样致命。”

“比如离子注入机的角度稍有偏差、快速热退火（rta）设备內温度分布不均，如中心与边缘差几摄氏度、预非晶化层厚度波动，这些因素叠加，都会导致掺杂浓度在晶圆片內或批次间產生系统性偏移。”

“要解决它，核心在於预非晶化注入、精密角度注入与低温注入。”

“可以通过在pai环节注入si或ge等重离子，预先打乱硅表面晶格形成无序的非晶层，强制后续掺杂离子在浅层停止，从根源上阻断“沟道效应。”

“与此同时，通过將晶圆倾斜一定的角度並同时旋转，使离子偏离主晶轴方向，再结合低温注入，如液氮冷却可有效抑制因扩散造成的rdf，大幅降低vt失配。。。。。。。最后使沟道掺杂浓度达到平衡！”

会议室中，李暉一边听著韩靖的解决方案，一边在脑海中顺著这份方案模擬思索著。